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igbt模塊使用過程中的介紹
日期：2025-12-17 19:35
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摘要：
IGBT是以GTR為主導元件，MOSFET為驅動元件的達林頓結構的復合器件。其外部有三個電極，分別為G-柵極，C-集電極，E-發射極。
1）當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時，MOSFET內溝道消失，IGBT呈關斷狀態。
2）當集-射極電壓UCE＜0時，J3的PN結處于反偏，IGBT呈反向阻斷狀態。
3）當集-射極電壓UCE＞0時，分兩種情況：
②若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態。
