產品目錄 PRODUCT
- IGBT模塊
- 英飛凌IGBT模塊
- 英飛凌整流橋
- 英飛凌二極管
- 英飛凌可控硅
- 英飛凌模塊
- ABB模塊
- ABB可控硅
- ABB變頻器維修配件
- 西門康模塊
- 西門康IGBT模塊
- 西門康IGBT智能模塊
- 西門康大功率模塊
- 西門康二極管
- 西門康整流橋
- 西門康可控硅模塊
- 西門子IGBT模塊
- 西門子可控硅
- 西門子變頻器配件
- 三菱IGBT模塊
- 三菱整流橋
- 三菱GTR模塊（達林頓）
- 三菱IPM智能模塊
- 三菱IGBT快恢復二極管模塊
- 三菱IGBT可控硅模塊
- 三菱PIM整流逆變集成
- EUPEC IGBT
- EUPCE模塊
- EUPEC平板可控硅
- EUPEC可控硅
- EUPEC 二極管
- EUPEC整流橋
- IXYS 整流橋
- IXYS可控硅
- IXYS二極管
- 富士IGBT
- 富士整流橋
- 富士IGBT可控硅
- 富士變頻器維修配件
- 富士IPM智能模塊
- 富士IGBT二極管模塊
- 富士GTR模塊（達林頓）
- 東芝IGBT
- 東芝可控硅模塊
- 東芝智能型IGBT
- 東芝GTR模塊（達林頓）
- 東芝復合模塊PIM
- 東芝二極管模塊
- 瑞士驅動模塊
- 二極管
- 三社二極管
- 三社達林頓模塊
- 三社可控硅模塊
- 三社整流橋
- 西班牙廠家整流橋
- 三墾IGBT模塊
- 三墾GTR模塊（達林頓）
- 三墾智能型IPM
- IR IGBT模塊
- 西瑪可控硅
- 羅蘭快速熔斷器
- 富士熔斷器
- 美國BUSSMAN快熔
- 電解電容 高頻無感電容
- 光耦
- 場效應模塊
- IR可控硅
新聞詳情
富士電機電子技術上市額定電壓1200V和1700V的IGBT模塊
日期：2025-12-20 01:17
瀏覽次數：2389
摘要：富士電機電子技術上市額定電壓1200V和1700V的IGBT模塊
富士電機電子技術公司擴充了該公司IGBT模塊“U4系列”的產品線，新上市額定電壓高達1200V及1700V、額定電流為600～3600A的“HighPowerModule”。封裝尺寸與現有產品相同，可支持更大的額定電流。將用于產業用高壓大容量逆變器及風力發電系統的電力轉換裝置等用途。
備有額定電壓為1200V、額定電流為600/800/1200/1600/2400/3600A的型號，以及額定電壓為1700V、額定電流為600/800/1200/1600/2400/3600A的型號。通過在底板材料中采用SiN（氮化硅）提高了熱傳導性。電...
富士電機電子技術上市額定電壓1200V和1700V的IGBT模塊
富士電機電子技術公司擴充了該公司IGBT模塊“U4系列”的產品線，新上市額定電壓高達1200V及1700V、額定電流為600～3600A的“HighPowerModule”。封裝尺寸與現有產品相同，可支持更大的額定電流。將用于產業用高壓大容量逆變器及風力發電系統的電力轉換裝置等用途。
備有額定電壓為1200V、額定電流為600/800/1200/1600/2400/3600A的型號，以及額定電壓為1700V、額定電流為600/800/1200/1600/2400/3600A的型號。通過在底板材料中采用SiN（氮化硅）提高了熱傳導性。電極結構為溝道型。在抑制噪音的同時，降低了電力損失。
該公司將于08年10月1日上市額定電壓為1200V及1700V、額定電流為600/800/1200/1600A的10種產品。封裝尺寸方面，無論封裝1個還是封裝2個，10種產品均為130mm×140mm×38mm。而額定電壓為1200V及1700V、額定電流為2400/3600A的型號將于08年12月1日上市。各型號的標準價格為5萬～10萬日元。目標為到09年每月銷售5000個。
將于08年10月1日上市的10種產品的型號、額定電壓、額定電流及封裝構成如下。
“2MBI600U4G-120” （1200V/ 600A， 一組2個）
“2MBI800U4G-120” （1200V/ 800A， 一組2個）
“2MBI1200U4G-120”（1200V/1200A， 一組2個）
“1MBI1200U4C-120”（1200V/1200A， 一組1個）
“1MBI1600U4C-120”（1200V/1600A， 一組1個）
“2MBI600U4G-170” （1700V/ 600A， 一組2個）
“2MBI800U4G-170” （1700V/ 800A， 一組2個）
“2MBI1200U4G-170”（1700V/1200A， 一組2個）
“1MBI1200U4C-170”（1700V/1200A， 一組1個）
“1MBI1600U4C-170”（1700V/1600A， 一組1個）
富士電機電子技術公司擴充了該公司IGBT模塊“U4系列”的產品線，新上市額定電壓高達1200V及1700V、額定電流為600～3600A的“HighPowerModule”。封裝尺寸與現有產品相同，可支持更大的額定電流。將用于產業用高壓大容量逆變器及風力發電系統的電力轉換裝置等用途。
備有額定電壓為1200V、額定電流為600/800/1200/1600/2400/3600A的型號，以及額定電壓為1700V、額定電流為600/800/1200/1600/2400/3600A的型號。通過在底板材料中采用SiN（氮化硅）提高了熱傳導性。電極結構為溝道型。在抑制噪音的同時，降低了電力損失。
該公司將于08年10月1日上市額定電壓為1200V及1700V、額定電流為600/800/1200/1600A的10種產品。封裝尺寸方面，無論封裝1個還是封裝2個，10種產品均為130mm×140mm×38mm。而額定電壓為1200V及1700V、額定電流為2400/3600A的型號將于08年12月1日上市。各型號的標準價格為5萬～10萬日元。目標為到09年每月銷售5000個。
將于08年10月1日上市的10種產品的型號、額定電壓、額定電流及封裝構成如下。
“2MBI600U4G-120” （1200V/ 600A， 一組2個）
“2MBI800U4G-120” （1200V/ 800A， 一組2個）
“2MBI1200U4G-120”（1200V/1200A， 一組2個）
“1MBI1200U4C-120”（1200V/1200A， 一組1個）
“1MBI1600U4C-120”（1200V/1600A， 一組1個）
“2MBI600U4G-170” （1700V/ 600A， 一組2個）
“2MBI800U4G-170” （1700V/ 800A， 一組2個）
“2MBI1200U4G-170”（1700V/1200A， 一組2個）
“1MBI1200U4C-170”（1700V/1200A， 一組1個）
“1MBI1600U4C-170”（1700V/1600A， 一組1個）
